🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
🚛 تدفع لنا فقط عندما يتم الشحن من مستودعاتنا، ونقوم بإبلاغك 🚛
سامسونج (9100 برو) قرص صلب داخلي SSD بسعة 1 تيرابايت بتقنية PCIe Gen 5x4 NVMe، سرعات تصل إلى 14700 ميجابايت/ثانية
- 0.000 KD
0.000 KD- 0.000 KD
- سعر الوحدة
- لكل
رسوم التركيب - 2 دينار كويتي للقطعة الواحدة
بفضل سرعات تصل إلى 14700 ميجابايت/ثانية، يُعدّ محرك الأقراص الصلبة الداخلي سامسونج 9100 برو بسعة 1 تيرابايت بتقنية PCIe Gen 5x4 NVMe الحل الأمثل لنقل البيانات بسرعة وتخزينها بكفاءة عالية. استمتع بأداء وكفاءة لا مثيل لهما مع هذا المحرك المتطور.
الميزات الرئيسية
- العلامة التجارية: سامسونج
- نوع التخزين: SSD M.2 NVMe Gen 5.0
- السعة: 1 تيرابايت
- سرعة التخزين: سرعة القراءة - تصل إلى 14000
- مشتت حراري: بدون مشتت حراري
تحديد
| رقم الموديل | سامسونج (9100 برو) 1 تيرابايت SSD داخلي PCIe Gen 5x4 NVMe |
| رقم القطعة | MZ-VAP1T0B/AM |
| سعة | 1 تيرابايت |
| عامل الشكل | م.2 (2280) |
| واجهة المستخدم | PCIe® 5.0 x4، NVMe™ 2.0 |
| سرعة القراءة | سرعة القراءة المتسلسلة: 14700 ميجابايت/ثانية |
| سرعة الكتابة | سرعة القراءة المتسلسلة: 13300 ميجابايت/ثانية |
| تشغيل. قراءة/كتابة (IOPS، QD32) | 1850 ألف / 2600 ألف |
| القدرة على التحمل (إجمالي البايتات المكتوبة) | 800 تيرابايت |
| قوة | الطاقة النشطة (قراءة/كتابة): 7.6 واط / 7.2 واط وضع السكون للجهاز (L1.2): 4.0 ميلي واط / 3.3 ميلي واط |
| تشفير البيانات | الفئة 0 (AES 256)، TCG/Opal الإصدار 2.0، MS eDrive (IEEE1667) |
| ذاكرة التخزين المؤقت | 1 جيجابايت LPDDR4X |
| ميزات خاصة | سعة تخزين 1 تيرابايت عامل الشكل M.2 2280 واجهة PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 سرعة قراءة متسلسلة تصل إلى 14700 ميجابايت/ثانية سرعة كتابة متسلسلة تصل إلى 13300 ميجابايت/ثانية ذاكرة تخزين مؤقتة LPDDR4x بسعة 1 جيجابايت القدرة على التحمل (TBW): 800TB تقنية ذاكرة فلاش V-NAND TLC من سامسونج وحدة تحكم سامسونج الداخلية تشفير AES 256 بت |
| حجم المنتج (أبعاد) | 0.9 × 0.09 × 3.2 (بوصة) |
| وزن المنتج | 0.02 رطل |
| ضمان | سنة واحدة (وفقًا لسياسة الشركة المصنعة) |
المنتجات ذات الصلة
- يؤدي اختيار تحديد إلى تحديث كامل للصفحة.